Las memorias de cambio de fase PCM, podrían comenzar a llegar en 2010

Publicado por Fran G. | 31 Octubre 2009

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hardware-tecnologia Las compañías Intel y Numonyx, han anunciado importantes avances que le permitirán apilar múltiples capas de memoria de cambio de fase, desarrollando un tipo de tecnología de memoria no volátil. Esta tecnología ya ha comenzado a denominarse por algunos como el Flash-killer, ya que podría desplazar a las memorias flash que usamos actualmente.

Intel es una de las compañías que más ha investigado sobre este tipo de memorias durante los últimos años, y finalmente parece que el trabajo está dando sus frutos. El mayor fabricante del mundo de chips y Numonyx que trabaja conjuntamente con Intel en este proyecto, han encontrado el modo de aumentar la densidad en las memorias PCM, apilando matrices de memoria una encima de otra. Utilizando esta técnica han desarrollado una memoria de 64MB, la cual esperan mostrar en la próxima conferencia IEDM.

Las memorias PCM acrónimo de phase-change memory, combinan la velocidad de las memorias DRAM y la naturaleza no volátil de las memorias flash. Esta tecnología ha sido propuesta por primera vez en los años 70, y desde entonces es una tecnología estudiada con entusiasmo.

En este tipo de tecnología de almacenamiento, cada celda de memoria está compuesta por un pequeño fragmento de una aleación especial, capaz de cambiar sus características físicas y propiedades según el modo en que se calienta o enfría. Esta temperatura que cambia la fase de la aleación, es manipulada mediante la inyección de corriente eléctrica y el nivel de voltaje de esta, el momento de la inyección es lo que determina que fase cambiará su alineación.

Gracias a que las células de memoria phase-change memory son más simples que las usadas en las memorias flash y su tecnología no tiene los mismos límites físicos que almacenamiento magnético, es posible alcanzar cantidades de almacenamiento bastante altas. Uno de los handicaps que presentaba este tipo de memorias, era hacer escalable la cantidad de corriente eléctrica que se utiliza para cambiar las fases en memorias de mayor densidad.

Intel y Numonyx parecen haber conseguido solventar todos los problemas y estar listos para poder fabricar este tipo de tecnología. Estas dos compañías han dado con el modo de poder desarrollar memorias PCM más densas, introduciendo un array PCM completo entre dos capas metálicas en un chip CMOS.

Estas dos compañías no son las únicas que se encuentran trabajando en el desarrollo de esta tecnología, IBM o Samsung, también han realizado algunos anuncios en este sentido.

A principios del año próximo, podría llegar una propuesta de estandarización de las memorias PCM.

Las memorias de cambio de fase podrían comenzar a llegar al mercado integradas en algunos modelos de teléfono a principios de 2010. De momento se desconoce el precio con el que llegará al mercado esta tecnología, ni cuando comenzarán a aparecer las primeras tarjetas SSDs bastadas en PCM.